KI007P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI007P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT23
KI007P Datasheet (PDF)
ki007p.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI007PSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-3.5 A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 65m (VGS =-4.5V , ID=-1A)+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V , ID=-0.5A)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
ki007p-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI007PSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-3.5 A 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 65m (VGS =-4.5V , ID=-1A)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V , ID=-0.5A)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Un
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918