KI009P Todos los transistores

 

KI009P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI009P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KI009P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  kexin
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KI009P

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI009PSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-4 A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 60m (VGS =-4.5V , ID=-4A)+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 87m (VGS =-2.5V , ID=-3A)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dra

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History: GSM3804

 

 
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