KI009P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI009P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для KI009P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI009P даташит

 ..1. Size:350K  kexin
 ki009p.pdf pdf_icon

KI009P

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI009P SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) =-12V ID =-4 A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 60m (VGS =-4.5V , ID=-4A) +0.1 1.9 -0.1 RDS(ON) 87m (VGS =-2.5V , ID=-3A) 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Dra

Другие IGBT... DMP1260, FQD12P10, FR9024N, KI001P, KI001PW, KI005P, KI005PDFN, KI007P, STP65NF06, KI10P40DY, KI2301T, KI2305DS, KI2955DS, KI2955DV, KI30P03DFN, KI5P04DS, KI9435DY