KI30P03DFN Todos los transistores

 

KI30P03DFN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI30P03DFN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 302 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
     - Selección de transistores por parámetros

 

KI30P03DFN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1756K  kexin
 ki30p03dfn.pdf pdf_icon

KI30P03DFN

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI30P03DFN Features VDS (V) =-30V ID =-30 A (VGS =20V)xxxxxxx RDS(ON) 15m (VGS =-10V)xxxx RDS(ON) 25m (VGS =-4.5V)Marking and pin assignment Schematic diagram DFN3.3X3.3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-Source Voltage VGS 20 C

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP33N65M2 | STP55N06L | BUZ358 | RFL1N10L

 

 
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