Справочник MOSFET. KI30P03DFN

 

KI30P03DFN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KI30P03DFN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для KI30P03DFN

 

 

KI30P03DFN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1756K  kexin
 ki30p03dfn.pdf

KI30P03DFN KI30P03DFN

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI30P03DFN Features VDS (V) =-30V ID =-30 A (VGS =20V)xxxxxxx RDS(ON) 15m (VGS =-10V)xxxx RDS(ON) 25m (VGS =-4.5V)Marking and pin assignment Schematic diagram DFN3.3X3.3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-Source Voltage VGS 20 C

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top