Справочник MOSFET. KI30P03DFN

 

KI30P03DFN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI30P03DFN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для KI30P03DFN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI30P03DFN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1756K  kexin
 ki30p03dfn.pdf pdf_icon

KI30P03DFN

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI30P03DFN Features VDS (V) =-30V ID =-30 A (VGS =20V)xxxxxxx RDS(ON) 15m (VGS =-10V)xxxx RDS(ON) 25m (VGS =-4.5V)Marking and pin assignment Schematic diagram DFN3.3X3.3 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30V Gate-Source Voltage VGS 20 C

Другие MOSFET... KI005PDFN , KI007P , KI009P , KI10P40DY , KI2301T , KI2305DS , KI2955DS , KI2955DV , 60N06 , KI5P04DS , KI9435DY , KO3401 , KO3415A , KO4407 , KX5P02 , KX5P04DY , KX6P02 .

History: FQA28N50F | IRL3302SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.