NDT40P04 Todos los transistores

 

NDT40P04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDT40P04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO252

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NDT40P04 datasheet

 ..1. Size:1605K  kexin
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NDT40P04

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET NDT40P04 TO-252 Unit mm 6.50+0.15 -0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 Features 4 VDS (V) =-40V ID =-40 A (VGS =-10V) 0.127 RDS(ON) 14m (VGS =-10V) +0.1 0.80-0.1 max Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS 1 Gate 2 Drain 2.3 0.60+ 0.1

Otros transistores... KO3415A , KO4407 , KX5P02 , KX5P04DY , KX6P02 , KX9435 , KXF2955 , NDT12P20 , AO4468 , NTMS10P02R2 , NTR4101P , SI2301BDS , IXFP18N65X2 , SI2303BDS , SI2303DS , SI2305DS , SI2307BDS .

History: STD13N50DM2AG | 2SK957-M | SUD50P06-15L-GE3 | SIR422DP-T1-GE3 | SI4947ADY | IRF7379I

 

 

 

 

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