NDT40P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDT40P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT40P04

NDT40P04 Datasheet (PDF)

..1. Size:1605K kexin
ndt40p04.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNDT40P04 TO-252Unit: mm6.50+0.15-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) =-40V ID =-40 A (VGS =-10V)0.127 RDS(ON) 14m (VGS =-10V)+0.10.80-0.1max Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS1 Gate2 Drain2.3 0.60+ 0.1

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Liste

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