NDT40P04. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NDT40P04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для NDT40P04
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NDT40P04 даташит
ndt40p04.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET NDT40P04 TO-252 Unit mm 6.50+0.15 -0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 Features 4 VDS (V) =-40V ID =-40 A (VGS =-10V) 0.127 RDS(ON) 14m (VGS =-10V) +0.1 0.80-0.1 max Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS 1 Gate 2 Drain 2.3 0.60+ 0.1
Другие MOSFET... KO3415A , KO4407 , KX5P02 , KX5P04DY , KX6P02 , KX9435 , KXF2955 , NDT12P20 , AO4468 , NTMS10P02R2 , NTR4101P , SI2301BDS , IXFP18N65X2 , SI2303BDS , SI2303DS , SI2305DS , SI2307BDS .
History: AOI1N60L | IRF8304M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor

