SI2333CDS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2333CDS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0285 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2333CDS

SI2333CDS Datasheet (PDF)

..1. Size:224K vishay
si2333cds.pdf

Si2333CDSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.1 TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.045 at VGS = - 2.5 V - 4.5 9 nC- 120.059 at VGS = - 1.8 V - 3.9APPLICATIONS Load Switc

..2. Size:1947K kexin
si2333cds ki2333cds.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V)0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)G 1 3 D 1. Gate2. SourceS 2 3. D

..3. Size:1896K kexin
si2333cds.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS)SOT-23Unit: mm+0.1 Features2.9 -0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-12V3 ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V)1 2+0.1+0.05 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)0.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1G 1 1.Gate3 D 2.SourceS 2 3.Drain

0.1. Size:1947K kexin
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0.2. Size:866K cn vbsemi
si2333cds-t1-ge3.pdf

SI2333CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

6.1. Size:216K vishay
si2333cd.pdf

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Liste

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