SI2333CDS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI2333CDS
Маркировка: O3*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 12 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.1 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 315 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0285 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SI2333CDS Datasheet (PDF)
si2333cds.pdf
Si2333CDSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.1 TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.045 at VGS = - 2.5 V - 4.5 9 nC- 120.059 at VGS = - 1.8 V - 3.9APPLICATIONS Load Switc
si2333cds ki2333cds.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V)0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)G 1 3 D 1. Gate2. SourceS 2 3. D
si2333cds.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS)SOT-23Unit: mm+0.1 Features2.9 -0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-12V3 ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V)1 2+0.1+0.05 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)0.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1G 1 1.Gate3 D 2.SourceS 2 3.Drain
si2333cds-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V)1 2+0.02+0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V)0.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)G 1 3 D 1. Gate2. SourceS 2 3. D
si2333cds-t1-ge3.pdf
SI2333CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA
si2333cd.pdf
Si2333CDSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.1 TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.045 at VGS = - 2.5 V - 4.5 9 nC- 120.059 at VGS = - 1.8 V - 3.9APPLICATIONS Load Switc
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
