SI2333DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2333DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2333DS

SI2333DS Datasheet (PDF)

..1. Size:186K vishay
si2333ds.pdf

Si2333DSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.032 at VGS = - 4.5 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET 0.042 at VGS = - 2.5 V - 12 - 4.6APPLICATIONS0.059 at VGS = - 1.8 V - 3.9 Load Switch PA SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewS

..2. Size:1223K kexin
si2333ds.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2333DS (KI2333DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-5.3 A (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 32m (VGS =-4.5V) +0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1 RDS(ON) 42m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Max

0.1. Size:1240K kexin
si2333ds-3.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2333DS (KI2333DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-5.3 A (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 32m (VGS =-4.5V) +0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 42m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute

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SI2333DS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT

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si2333dds.pdf

Si2333DDSVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested Material categorization:0.028 at VGS = - 4.5 V - 6eFor definitions of compliance please see0.032 at VGS = - 3.7 V - 6ewww.vishay.com/doc?99912- 12 0.040 at VGS = - 2.5 V - 6e 9 nC0.063 at

7.2. Size:1472K cn vbsemi
si2333dds-t1.pdf

SI2333DDS-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: