Справочник MOSFET. SI2333DS

 

SI2333DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI2333DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2333DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  vishay
si2333ds.pdfpdf_icon

SI2333DS

Si2333DSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.032 at VGS = - 4.5 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET 0.042 at VGS = - 2.5 V - 12 - 4.6APPLICATIONS0.059 at VGS = - 1.8 V - 3.9 Load Switch PA SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewS

 ..2. Size:1223K  kexin
si2333ds.pdfpdf_icon

SI2333DS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2333DS (KI2333DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-5.3 A (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 32m (VGS =-4.5V) +0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1 RDS(ON) 42m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Max

 0.1. Size:1240K  kexin
si2333ds-3.pdfpdf_icon

SI2333DS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2333DS (KI2333DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-5.3 A (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 32m (VGS =-4.5V) +0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 42m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute

 0.2. Size:866K  cn vbsemi
si2333ds-t1-ge3.pdfpdf_icon

SI2333DS

SI2333DS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME50P06-G | NVMFS5C628N | IRFP254N | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.