SI3437DV Todos los transistores

 

SI3437DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3437DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT163
 

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SI3437DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  vishay
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SI3437DV

Si3437DVVishay SiliconixP-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.75 at VGS = - 10 V - 1.4 TrenchFET Power MOSFET- 150 8 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.79 at VGS = - 6 V - 1.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Active Clamp Circu

 ..2. Size:2060K  kexin
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SI3437DV

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI3437DV (KI3437DV)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features 6 5 4 VDS (V) =-150V ID =-1.4 A (VGS =-10V) RDS(ON) 750m (VGS =-10V)S1 2 3+0.02 RDS(ON) 790m (VGS =-6V)0.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1G1. Drain 2. Drain3.Gate4. Source 5. DrainD 6. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 9.1. Size:180K  vishay
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SI3437DV

Si3434DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.034 at VGS = 4.5 V 6.1 TrenchFET Power MOSFET300.050 at VGS = 2.5 V 5.0 2.5 V Rating for 30 V N-Channel Low RDS(on) for Footprint Area Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 9.2. Size:205K  vishay
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SI3437DV

New ProductSi3433CDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.038 at VGS = - 4.5 V - 6 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 6 18 nC- 20APPLICATIONS0.060 at VGS = - 1.8 V - 6 Load Switch NotebookTSOP-6(4) STop View

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History: SI2306DS | IRLZ24NSPBF | SIZ704DT

 

 
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