SIS2305PLT1G Todos los transistores

 

SIS2305PLT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS2305PLT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 8 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SIS2305PLT1G datasheet

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SIS2305PLT1G

SMD Type MOSFET SMD Type P-Channel MOSFET SIS2305PLT1G SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) = -8V RDS(ON) 0.052 (VGS = -4.5V) 1 2 RDS(ON) 0.071 (VGS = -2.5V) D +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 0.108 (VGS = -1.8V) +0.1 1.9 -0.1 1. Gate 2. Source G 3. Drain S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Para

Otros transistores... SI2399DS , SI3437DV , SI3475DV , SI4463BDY , SI7119DN , SI7129DN , SI9435BDY , SI9435DY , 2SK3878 , XP162A11 , 2N7002TE , 2SK1284-Z , 2SK2094-Z , 2SK2869-ZJ , 2SK2926-ZJ , 2SK3024-Z , 2SK3224-Z .

History: SWD6N80DE | SWD2N60DC

 

 

 

 

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