SIS2305PLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIS2305PLT1G
   Código: A5*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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SIS2305PLT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:1007K kexin
sis2305plt1g.pdf

SMD Type MOSFETSMD TypeP-Channel MOSFETSIS2305PLT1G SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -8V RDS(ON)0.052 (VGS = -4.5V)1 2 RDS(ON)0.071 (VGS = -2.5V)D +0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON)0.108 (VGS = -1.8V) +0.11.9 -0.11. Gate2. SourceG 3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Para

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Liste

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