2SK1284-Z Todos los transistores

 

2SK1284-Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1284-Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: TO252

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2SK1284-Z datasheet

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2SK1284-Z

 ..2. Size:1661K  kexin
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2SK1284-Z

SMD Type IC SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK1284-Z TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 Features 0.50 -0.7 Low on-state resistance RDS(on) 0.32 .@VGS=10V,ID=2A RDS(on) 0.40 @VGS=4V,ID=2A 0.127 +0.1 0.80-0.1 max Low Ciss Ciss=500pF TYP. Built-in G-S Gate Protection Diode + 0.1 1 Gate 2.3 0.60- 0.1 +0.15 4 .60 -0.15 2 Drain 3 Source A

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2SK1284-Z

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK1283 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET PACKAGE DRAWING (Unit mm) DESCRIPTION The 2SK1283 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed or 8.5 MAX. solenoid, motor and lamp driver. 3.2 0.2 2.8 MAX. FEATURES Low on-state resistance RDS(on) = 0.18 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2 A) RDS(on) = 0.24 MAX. (VGS = 4 V, ID = 2

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2SK1284-Z

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History: STB10LN80K5 | ME2325-G | AGM406MBP

 

 

 

 

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