AO4306 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4306
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
Encapsulados: SOP8
Búsqueda de reemplazo de AO4306 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AO4306 datasheet
ao4306.pdf
AO4306 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4306 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 13A This device is suitable for high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4306.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4306 (KO4306) SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 13 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 11.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 15.5m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V G
ao4304.pdf
AO4304 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4304 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 18A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4302.pdf
AO4302 30V N-Channel MOSFET 30 36 General Description Product Summary VDS 30V The AO4302 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 23A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... 2SK3269-ZJ , 2SK3305-ZJ , 2SK3402-Z , 2SK3424-ZJ , 2SK3430-ZJ , 2SK3434-ZJ , A9452 , AMS6006 , IRFB3607 , AO4404 , AO4406 , AO4408 , AO4418 , AO4444 , AO4476 , AO4492 , AO4702 .
History: IRF7379I | STD13N50DM2AG | 2SK897-M | SIR422DP-T1-GE3 | 2SK3355 | SI4947ADY
History: IRF7379I | STD13N50DM2AG | 2SK897-M | SIR422DP-T1-GE3 | 2SK3355 | SI4947ADY
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554
