AO4406 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4406
   Código: 4406
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 201 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4406

AO4406 Datasheet (PDF)

..1. Size:1498K kexin
ao4406.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4406 (KO4406)SOP-8 Features VDS (V) = 30VD ID = 11.5 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 14m (VGS = 10V) RDS(ON) 16.5m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain RDS(ON) 26m (VGS = 2.5V) 2 Source7 Drain3 SourceG8 Drain4 GateS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

..2. Size:833K cn vbsemi
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AO4406www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO-8

0.1. Size:328K aosemi
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AO4406A30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4406A uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 13AThis device is suitable for high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

0.2. Size:1723K kexin
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SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4406A (KO4406A)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 13 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11.5m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 15.5m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V

0.3. Size:833K cn vbsemi
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AO4406Awww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO-

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: