AP2322GN Todos los transistores

 

AP2322GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2322GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.833 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP2322GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  ape
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AP2322GN

AP2322GNHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Package ID 2.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resis

 ..2. Size:1154K  kexin
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AP2322GN

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAP2322GN (KP2322GN)SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 20V ID = 2.5 A1 2+0.1+0.050.95 -0.1 RDS(ON) 90m (VGS = 4.5V) 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 120m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 150m (VGS = 1.8V)1. Gate2. Source3. DrainDGS Absolute Maximum Ratings Ta

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AP2322GN

AP2322GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V gate drive BVDSS 20VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Surface mount package ID 2.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible

 0.2. Size:1302K  kexin
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AP2322GN

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAP2322GN (KP2322GN)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 20V ID = 2.5 A1 2 RDS(ON) 90m (VGS = 4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 120m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 150m (VGS = 1.8V)1. Gate2. Source3. DrainDGS Absolute Maximum Rating

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4124DY | SI4646DY | IRC330 | R6524KNX | SI4430 | SI4425DY-T1-E3 | SI2301ADS-T1

 

 
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