KI010NDS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI010NDS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI010NDS

KI010NDS Datasheet (PDF)

..1. Size:340K kexin
ki010nds.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI010NDSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 20V ID = 6 A (VGS = 10V) 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 12m (VGS = 4.5V)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 18m (VGS = 2.5V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain

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Liste

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