KI010NDS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI010NDS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KI010NDS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI010NDS даташит

 ..1. Size:340K  kexin
 ki010nds.pdf pdf_icon

KI010NDS

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KI010NDS SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) = 20V ID = 6 A (VGS = 10V) 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 RDS(ON) 12m (VGS = 4.5V) +0.1 1.9 -0.2 RDS(ON) 18m (VGS = 2.5V) 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain

Другие IGBT... AO4704, AP2322GN, AP9974, BSS138E, D1096, F501, IRFP064PBF, KDT3055L, 18N50, KI138K, KI1N60, KI1N60DS, KI2310, KI2310DS, KI3055, KI3055DY, KI3305DS