Справочник MOSFET. KI010NDS

 

KI010NDS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI010NDS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для KI010NDS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI010NDS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  kexin
 ki010nds.pdf pdf_icon

KI010NDS

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI010NDSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 20V ID = 6 A (VGS = 10V) 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 12m (VGS = 4.5V)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 18m (VGS = 2.5V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain

Другие MOSFET... AO4704 , AP2322GN , AP9974 , BSS138E , D1096 , F501 , IRFP064PBF , KDT3055L , SKD502T , KI138K , KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS .

History: FSS210 | IPS70R900P7S | STT4PF20V | NCE1490 | HM3P10MR | RFM4N35 | STB10NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.