KI502DT Todos los transistores

 

KI502DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI502DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SOT523

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KI502DT datasheet

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KI502DT

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KI502DT SOT-523 U nit m m +0. 1 1.6 -0. 1 +0.1 1.0 -0.1 +0.05 0.2 -0.05 0.15 0.05 Features 2 1 VDS (V) = 20V ID = 0.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 700m (VGS = 4.5V) 3 RDS(ON) 850m (VGS = 2.5V) 0.3 0.05 RDS(ON) 1.25 (VGS = 1.8V) +0.1 0.5-0.1 Gate-Source ESD Protected 2000 V 1. Gate 2. Source

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History: S10H08R

 

 

 

 

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