KI502DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI502DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI502DT

KI502DT Datasheet (PDF)

..1. Size:1452K kexin
ki502dt.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI502DTSOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 VDS (V) = 20V ID = 0.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 700m (VGS = 4.5V)3 RDS(ON) 850m (VGS = 2.5V)0.30.05 RDS(ON) 1.25 (VGS = 1.8V)+0.10.5-0.1 Gate-Source ESD Protected: 2000 V1. Gate2. Source

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: