KI502DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI502DT
Маркировка: A*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 750 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: SOT523
KI502DT Datasheet (PDF)
ki502dt.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI502DTSOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 VDS (V) = 20V ID = 0.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 700m (VGS = 4.5V)3 RDS(ON) 850m (VGS = 2.5V)0.30.05 RDS(ON) 1.25 (VGS = 1.8V)+0.10.5-0.1 Gate-Source ESD Protected: 2000 V1. Gate2. Source
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .