Справочник MOSFET. KI502DT

 

KI502DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI502DT
   Маркировка: A*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 750 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KI502DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1452K  kexin
 ki502dt.pdf pdf_icon

KI502DT

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI502DTSOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 VDS (V) = 20V ID = 0.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 700m (VGS = 4.5V)3 RDS(ON) 850m (VGS = 2.5V)0.30.05 RDS(ON) 1.25 (VGS = 1.8V)+0.10.5-0.1 Gate-Source ESD Protected: 2000 V1. Gate2. Source

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.