Справочник MOSFET. KI502DT

 

KI502DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI502DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для KI502DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI502DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1452K  kexin
 ki502dt.pdf pdf_icon

KI502DT

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI502DTSOT-523 U nit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1+0.050.2 -0.05 0.150.05 Features2 1 VDS (V) = 20V ID = 0.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 700m (VGS = 4.5V)3 RDS(ON) 850m (VGS = 2.5V)0.30.05 RDS(ON) 1.25 (VGS = 1.8V)+0.10.5-0.1 Gate-Source ESD Protected: 2000 V1. Gate2. Source

Другие MOSFET... KI138K , KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , IRF830 , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 .

History: IRF6729MPBF | LNG2N60 | KI1N60DS | STB12NM50T4 | SRC60R108B | IPDD60R125G7

 

 
Back to Top

 


 
.