KX12N65F Todos los transistores

 

KX12N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX12N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de KX12N65F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KX12N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1489K  kexin
 kx12n65f.pdf pdf_icon

KX12N65F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX12N65FTO-220FUnit:mm10.16 0.20 3.18 0.10 2.54 0.20(7.00) (0.70) Features VDS (V) = 650V(1.00x45 ) ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 850m (VGS = 10V)1 2 3MAX1.47 High ruggedness0.80 0.10D#10.35 0.10 +0.100.50 0.05 2.76 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20] [2.54 0.20]9.40 0.20G1. Gate 2. Drain

Otros transistores... KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , IRFZ48N , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF .

History: STP7NK30Z | STD16N50M2

 

 
Back to Top

 


 
.