KX12N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KX12N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KX12N65F

KX12N65F Datasheet (PDF)

..1. Size:1489K kexin
kx12n65f.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX12N65FTO-220FUnit:mm10.16 0.20 3.18 0.10 2.54 0.20(7.00) (0.70) Features VDS (V) = 650V(1.00x45 ) ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 850m (VGS = 10V)1 2 3MAX1.47 High ruggedness0.80 0.10D#10.35 0.10 +0.100.50 0.05 2.76 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20] [2.54 0.20]9.40 0.20G1. Gate 2. Drain

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: