KX12N65F - аналоги и даташиты транзистора

 

KX12N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KX12N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX12N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1489K  kexin
 kx12n65f.pdf pdf_icon

KX12N65F

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX12N65FTO-220FUnit:mm10.16 0.20 3.18 0.10 2.54 0.20(7.00) (0.70) Features VDS (V) = 650V(1.00x45 ) ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 850m (VGS = 10V)1 2 3MAX1.47 High ruggedness0.80 0.10D#10.35 0.10 +0.100.50 0.05 2.76 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20] [2.54 0.20]9.40 0.20G1. Gate 2. Drain

Другие MOSFET... KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , KI7N10DY , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , IRFZ48N , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF .

History: BSO094N03S | GSM4401S

 

 
Back to Top

 


 
.