KX12N65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KX12N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220F
KX12N65F Datasheet (PDF)
..1. Size:1489K kexin
kx12n65f.pdf
kx12n65f.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX12N65FTO-220FUnit:mm10.16 0.20 3.18 0.10 2.54 0.20(7.00) (0.70) Features VDS (V) = 650V(1.00x45 ) ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 850m (VGS = 10V)1 2 3MAX1.47 High ruggedness0.80 0.10D#10.35 0.10 +0.100.50 0.05 2.76 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20] [2.54 0.20]9.40 0.20G1. Gate 2. Drain
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
