KX8N60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KX8N60C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KX8N60C

KX8N60C Datasheet (PDF)

..1. Size:2504K kexin
kx8n60c.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX8N60CTO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)D Fast switching1.27 0.10 1.52 0.1021 3 Improved dv/dt capability0.80 0.10 +0.100.50 0.05 2.40 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20 ] [2.

0.1. Size:3240K kexin
kx8n60cf.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX8N60CFUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)D 0.20 Fast switching 2.76 Improved dv/dt capability1.47max0.200.501 2 3 G0.200.802.54typS2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter

8.1. Size:2119K kexin
kx8n60f.pdf

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFET KX8N60FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)0.202.76 Low gate charge 100% avalanche tested1.47max0.200.500.200.802.54typ2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: