KX8N60F Todos los transistores

 

KX8N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KX8N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220F

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KX8N60F datasheet

 ..1. Size:2119K  kexin
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KX8N60F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX8N60F Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 0.20 0.70 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V) 0.20 2.76 Low gate charge 100% avalanche tested 1.47max 0.20 0.50 0.20 0.80 2.54typ 2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit

 8.1. Size:3240K  kexin
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KX8N60F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX8N60CF Unit mm TO-220F 0.20 0.20 0.20 2.54 0.20 0.70 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V) D 0.20 Fast switching 2.76 Improved dv/dt capability 1.47max 0.20 0.50 1 2 3 G 0.20 0.80 2.54typ S 2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter

 8.2. Size:2504K  kexin
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KX8N60F

DIP Type MOSFET N-Channel MOSFET KX8N60C TO-220 9.90 0.20 4.50 0.20 (8.70) +0.10 3.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V) D Fast switching 1.27 0.10 1.52 0.10 2 1 3 Improved dv/dt capability 0.80 0.10 +0.10 0.50 0.05 2.40 0.20 2.54TYP 2.54TYP [2.54 0.20 ] [2.

Otros transistores... KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F , KX6N70 , KX6N70F , KX6N80F , KX8N60C , KX8N60CF , AON7403 , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 .

History: DMN4800LSSQ | STP605D | NDF02N60ZG | NDP06N60Z | STD8N60DM2 | SVS5N70D | STD17NF03LT4

 

 

 

 

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