NDT15N10 Todos los transistores

 

NDT15N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDT15N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO252

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NDT15N10 datasheet

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NDT15N10

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT15N10 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 Features 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 RDS(ON) = 80m @VGS = 10V,ID=8A Low gate charge (Typ=24nC) Low CRSS (Typ=23pF) 0.127 +0.1 High switching speed 0.80-0.1 max + 0.1 2.3 0.60- 0.1 1. Gate +0.15 4 .60 -0.15 2. Drain Source 3. Absolute Maximum Ratin

Otros transistores... KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , AO4407A , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 .

History: FX50KMJ-03 | IRF7309Q | VS6880AT | NCE60H10F | 4N100G-TA3-T | 4N60KL-TF1-T | 2SK1435

 

 

 

 

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