NDT15N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDT15N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de NDT15N10 MOSFET
NDT15N10 Datasheet (PDF)
ndt15n10.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT15N10TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.1 Features2.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) = 80m @VGS = 10V,ID=8A Low gate charge (Typ=24nC) Low CRSS (Typ=23pF)0.127+0.1 High switching speed0.80-0.1max+ 0.12.3 0.60- 0.11. Gate+0.154 .60 -0.152. DrainSource3. Absolute Maximum Ratin
Otros transistores... KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , AO3407 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 .
History: OSG80R300FF | FDR6580 | NTMFD6H846NLT1G | SVF12N65K | PDH6902 | AM1925PE
History: OSG80R300FF | FDR6580 | NTMFD6H846NLT1G | SVF12N65K | PDH6902 | AM1925PE



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet