NDT15N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDT15N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT15N10

NDT15N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:831K kexin
ndt15n10.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT15N10TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.1 Features2.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) = 80m @VGS = 10V,ID=8A Low gate charge (Typ=24nC) Low CRSS (Typ=23pF)0.127+0.1 High switching speed0.80-0.1max+ 0.12.3 0.60- 0.11. Gate+0.154 .60 -0.152. DrainSource3. Absolute Maximum Ratin

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History: BUK7105-40AIE

Liste

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