Справочник MOSFET. NDT15N10

 

NDT15N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT15N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NDT15N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT15N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  kexin
 ndt15n10.pdf pdf_icon

NDT15N10

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT15N10TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.1 Features2.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) = 80m @VGS = 10V,ID=8A Low gate charge (Typ=24nC) Low CRSS (Typ=23pF)0.127+0.1 High switching speed0.80-0.1max+ 0.12.3 0.60- 0.11. Gate+0.154 .60 -0.152. DrainSource3. Absolute Maximum Ratin

Другие MOSFET... KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , AO3407 , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 .

History: AP65PN2R6L | SMK0780F | BRCS9N20YU | RU30L40M3 | NTTFS5116PLTAG | IRFU3710Z-701PBF | KI6968BEDQ

 

 
Back to Top

 


 
.