NDT15N10 - описание и поиск аналогов

 

NDT15N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDT15N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NDT15N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT15N10 даташит

 ..1. Size:831K  kexin
 ndt15n10.pdf pdf_icon

NDT15N10

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT15N10 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 Features 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 RDS(ON) = 80m @VGS = 10V,ID=8A Low gate charge (Typ=24nC) Low CRSS (Typ=23pF) 0.127 +0.1 High switching speed 0.80-0.1 max + 0.1 2.3 0.60- 0.1 1. Gate +0.15 4 .60 -0.15 2. Drain Source 3. Absolute Maximum Ratin

Другие MOSFET... KX8N60C , KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , AO4407A , NDT18N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 .

History: 2SK293 | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.