NDT18N06 Todos los transistores

 

NDT18N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT18N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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NDT18N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1185K  kexin
 ndt18n06.pdf pdf_icon

NDT18N06

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT18N06TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 60V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 55m (VGS = 10V)0.1270.80+0.1 max-0.1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V)1 Gate+ 0.1 2 Drain2.3 0.60- 0.13 Source+0.154.60 -0.154 Drain Absolute Maximum Ratin

Otros transistores... KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , AO4468 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 .

History: G12P03D3 | SMG2301 | IPP032N06N3G

 

 
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