NDT18N06 Todos los transistores

 

NDT18N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDT18N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: TO252

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NDT18N06 datasheet

 ..1. Size:1185K  kexin
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NDT18N06

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT18N06 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 5.30+0.2 -0.2 +0.8 0.50 -0.7 Features 4 VDS (V) = 60V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 55m (VGS = 10V) 0.127 0.80+0.1 max -0.1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V) 1 Gate + 0.1 2 Drain 2.3 0.60- 0.1 3 Source +0.15 4.60 -0.15 4 Drain Absolute Maximum Ratin

Otros transistores... KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , 60N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 .

History: SVF2N60D | 2SK277 | AP4961GM | 4N60KL-TF1-T

 

 

 

 

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