NDT18N06 Todos los transistores

 

NDT18N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT18N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Tiempo de subida (tr): 12.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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NDT18N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1185K  kexin
ndt18n06.pdf

NDT18N06 NDT18N06

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT18N06TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 60V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 55m (VGS = 10V)0.1270.80+0.1 max-0.1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V)1 Gate+ 0.1 2 Drain2.3 0.60- 0.13 Source+0.154.60 -0.154 Drain Absolute Maximum Ratin

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