NDT18N06 - описание и поиск аналогов

 

NDT18N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDT18N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NDT18N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT18N06 даташит

 ..1. Size:1185K  kexin
 ndt18n06.pdf pdf_icon

NDT18N06

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET NDT18N06 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 5.30+0.2 -0.2 +0.8 0.50 -0.7 Features 4 VDS (V) = 60V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 55m (VGS = 10V) 0.127 0.80+0.1 max -0.1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V) 1 Gate + 0.1 2 Drain 2.3 0.60- 0.1 3 Source +0.15 4.60 -0.15 4 Drain Absolute Maximum Ratin

Другие MOSFET... KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , 60N06 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 .

History: AOI1N60L | IRF8304M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.