Справочник MOSFET. NDT18N06

 

NDT18N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT18N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NDT18N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT18N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1185K  kexin
 ndt18n06.pdf pdf_icon

NDT18N06

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT18N06TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 60V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 55m (VGS = 10V)0.1270.80+0.1 max-0.1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V)1 Gate+ 0.1 2 Drain2.3 0.60- 0.13 Source+0.154.60 -0.154 Drain Absolute Maximum Ratin

Другие MOSFET... KX8N60CF , KX8N60F , KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , AO4468 , NDT1N70 , NDT25N06 , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 .

History: APTC60HM70SCTG | SSM5H10TU | ME35N10-G | IXFK80N50P | GSM4925W | 2SK2000-R

 

 
Back to Top

 


 
.