Справочник MOSFET. NDT18N06

 

NDT18N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDT18N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для NDT18N06

 

 

NDT18N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1185K  kexin
 ndt18n06.pdf

NDT18N06 NDT18N06

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT18N06TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.15.30+0.2-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) = 60V ID = 18 A (VGS = 10V) RDS(ON) 55m (VGS = 10V)0.1270.80+0.1 max-0.1 RDS(ON) 68m (VGS = 4.5V)1 Gate+ 0.1 2 Drain2.3 0.60- 0.13 Source+0.154.60 -0.154 Drain Absolute Maximum Ratin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top