NDT25N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDT25N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT25N06

NDT25N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:1221K kexin
ndt25n06.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT25N06TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.2 Features 5.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 60V ID = 25 A (VGS = 10V) RDS(ON) 65m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max High Current Capability Low Gate Charge+ 0.12.3 0.60- 0.11 Gate+0.152.Drain4 .60 -0.152 Drain3 Source1.Gate3.So

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Liste

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