Справочник MOSFET. NDT25N06

 

NDT25N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT25N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NDT25N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT25N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1221K  kexin
 ndt25n06.pdf pdf_icon

NDT25N06

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT25N06TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.2 Features 5.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 60V ID = 25 A (VGS = 10V) RDS(ON) 65m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max High Current Capability Low Gate Charge+ 0.12.3 0.60- 0.11 Gate+0.152.Drain4 .60 -0.152 Drain3 Source1.Gate3.So

Другие MOSFET... KX90N06 , KXF3055 , MCH6405 , NDT06N03 , NDT110N03 , NDT15N10 , NDT18N06 , NDT1N70 , IRFP064N , NDT2N60 , NDT2N60P , NDT35N06 , NDT4N20L , NDT4N60 , NDT4N65 , NDT4N65P , NDT4N70 .

 

 
Back to Top

 


 
.