Справочник MOSFET. NDT25N06

 

NDT25N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT25N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT25N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1221K  kexin
 ndt25n06.pdf pdf_icon

NDT25N06

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT25N06TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.2 Features 5.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 60V ID = 25 A (VGS = 10V) RDS(ON) 65m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max High Current Capability Low Gate Charge+ 0.12.3 0.60- 0.11 Gate+0.152.Drain4 .60 -0.152 Drain3 Source1.Gate3.So

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SML60C12 | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.