NDT4N65P Todos los transistores

 

NDT4N65P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT4N65P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

NDT4N65P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3389K  kexin
ndt4n65p.pdf pdf_icon

NDT4N65P

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NDT4N65P (KDT4N65P) Features TO-251 VDS (V) = 650V ID = 3.0 A (VGS = 10V) RDS(ON) 3 (VGS = 10V)D1 2 3G1 32SUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 650V Gate-Source Voltage VGS 30 Ta=25 3.0 Continuous Drain Current ID Ta=100

 7.1. Size:3514K  kexin
ndt4n65.pdf pdf_icon

NDT4N65P

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NDT4N65 (KDT4N65) FeaturesTO-252Unit: mm VDS (V) = 650V+0.156.50 -0.15+0.12.30 -0.1 ID = 3.0 A (VGS = 10V) +0.25.30 -0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3 (VGS = 10V)D0.127+0.10.80 -0.1maxG+0.11 GATE2.3 0.60-0.1S+0.154.60 -0.152 DRAIN3 SOURCE Absolute Maximum Ratings Ta = 25P

 8.1. Size:2528K  kexin
ndt4n60.pdf pdf_icon

NDT4N65P

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT4N60TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.1 Features 2.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 600V ID = 3.9 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)0.127+0.1 Low effective output capacitance 0.80-0.1max+ 0.11 Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152 Drain3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 2

 9.1. Size:1349K  kexin
ndt4n70.pdf pdf_icon

NDT4N65P

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT4N70 TO-252Unit: mm Features + 0.156.50- 0.15+ 0.12.30- 0.1+ 0.25.30- 0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 4.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 2.15 (VGS = 10V)2.Drain0.127+0.10.80-0.1max+0.11.Gate 2.3 0.60-0.11Gate+0.154.60-0.152Drain3Source3.Source Absolute Maximum Ratings Ta =

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK633 | MTN50N06E3 | SSFT4004 | PMCM4401VNE | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF

 

 
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