NDT4N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDT4N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 49 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT4N70
NDT4N70 Datasheet (PDF)
ndt4n70.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT4N70 TO-252Unit: mm Features + 0.156.50- 0.15+ 0.12.30- 0.1+ 0.25.30- 0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 4.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 2.15 (VGS = 10V)2.Drain0.127+0.10.80-0.1max+0.11.Gate 2.3 0.60-0.11Gate+0.154.60-0.152Drain3Source3.Source Absolute Maximum Ratings Ta =
ndt4n65.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NDT4N65 (KDT4N65) FeaturesTO-252Unit: mm VDS (V) = 650V+0.156.50 -0.15+0.12.30 -0.1 ID = 3.0 A (VGS = 10V) +0.25.30 -0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3 (VGS = 10V)D0.127+0.10.80 -0.1maxG+0.11 GATE2.3 0.60-0.1S+0.154.60 -0.152 DRAIN3 SOURCE Absolute Maximum Ratings Ta = 25P
ndt4n20l.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT4N20LUnit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 VDS (V) = 200V ID = 1 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.5 (VGS = 10V) RDS(ON) 1.55 (VGS = 5V)1 2 3 Low gate charge0.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Gate 2.Drain0.700.13.Source4.60 (typ) 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sy
ndt4n65p.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NDT4N65P (KDT4N65P) Features TO-251 VDS (V) = 650V ID = 3.0 A (VGS = 10V) RDS(ON) 3 (VGS = 10V)D1 2 3G1 32SUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 650V Gate-Source Voltage VGS 30 Ta=25 3.0 Continuous Drain Current ID Ta=100
ndt4n60.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT4N60TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.1 Features 2.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 600V ID = 3.9 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)0.127+0.1 Low effective output capacitance 0.80-0.1max+ 0.11 Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152 Drain3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 2
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: CS7N65A4R
