NDT4N70 Todos los transistores

 

NDT4N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT4N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

NDT4N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1349K  kexin
 ndt4n70.pdf pdf_icon

NDT4N70

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT4N70 TO-252Unit: mm Features + 0.156.50- 0.15+ 0.12.30- 0.1+ 0.25.30- 0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 4.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 2.15 (VGS = 10V)2.Drain0.127+0.10.80-0.1max+0.11.Gate 2.3 0.60-0.11Gate+0.154.60-0.152Drain3Source3.Source Absolute Maximum Ratings Ta =

 9.1. Size:3514K  kexin
 ndt4n65.pdf pdf_icon

NDT4N70

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NDT4N65 (KDT4N65) FeaturesTO-252Unit: mm VDS (V) = 650V+0.156.50 -0.15+0.12.30 -0.1 ID = 3.0 A (VGS = 10V) +0.25.30 -0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3 (VGS = 10V)D0.127+0.10.80 -0.1maxG+0.11 GATE2.3 0.60-0.1S+0.154.60 -0.152 DRAIN3 SOURCE Absolute Maximum Ratings Ta = 25P

 9.2. Size:1492K  kexin
 ndt4n20l.pdf pdf_icon

NDT4N70

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT4N20LUnit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 VDS (V) = 200V ID = 1 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.5 (VGS = 10V) RDS(ON) 1.55 (VGS = 5V)1 2 3 Low gate charge0.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Gate 2.Drain0.700.13.Source4.60 (typ) 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sy

 9.3. Size:3389K  kexin
 ndt4n65p.pdf pdf_icon

NDT4N70

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NDT4N65P (KDT4N65P) Features TO-251 VDS (V) = 650V ID = 3.0 A (VGS = 10V) RDS(ON) 3 (VGS = 10V)D1 2 3G1 32SUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 650V Gate-Source Voltage VGS 30 Ta=25 3.0 Continuous Drain Current ID Ta=100

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History: 2SK538 | AP9972AGR-HF | IRFS820B | TK14C65W | IRF7457PBF | VS40200AD | SHD220301

 

 
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