Справочник MOSFET. NDT4N70

 

NDT4N70 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDT4N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для NDT4N70

 

 

NDT4N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1349K  kexin
 ndt4n70.pdf

NDT4N70 NDT4N70

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETNDT4N70 TO-252Unit: mm Features + 0.156.50- 0.15+ 0.12.30- 0.1+ 0.25.30- 0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 700V ID = 4.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 2.15 (VGS = 10V)2.Drain0.127+0.10.80-0.1max+0.11.Gate 2.3 0.60-0.11Gate+0.154.60-0.152Drain3Source3.Source Absolute Maximum Ratings Ta =

 9.1. Size:3514K  kexin
 ndt4n65.pdf

NDT4N70 NDT4N70

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NDT4N65 (KDT4N65) FeaturesTO-252Unit: mm VDS (V) = 650V+0.156.50 -0.15+0.12.30 -0.1 ID = 3.0 A (VGS = 10V) +0.25.30 -0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3 (VGS = 10V)D0.127+0.10.80 -0.1maxG+0.11 GATE2.3 0.60-0.1S+0.154.60 -0.152 DRAIN3 SOURCE Absolute Maximum Ratings Ta = 25P

 9.2. Size:1492K  kexin
 ndt4n20l.pdf

NDT4N70 NDT4N70

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT4N20LUnit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 VDS (V) = 200V ID = 1 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.5 (VGS = 10V) RDS(ON) 1.55 (VGS = 5V)1 2 3 Low gate charge0.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Gate 2.Drain0.700.13.Source4.60 (typ) 4.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sy

 9.3. Size:3389K  kexin
 ndt4n65p.pdf

NDT4N70 NDT4N70

DIP Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NDT4N65P (KDT4N65P) Features TO-251 VDS (V) = 650V ID = 3.0 A (VGS = 10V) RDS(ON) 3 (VGS = 10V)D1 2 3G1 32SUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 650V Gate-Source Voltage VGS 30 Ta=25 3.0 Continuous Drain Current ID Ta=100

 9.4. Size:2528K  kexin
 ndt4n60.pdf

NDT4N70 NDT4N70

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT4N60TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.1 Features 2.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 600V ID = 3.9 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)0.127+0.1 Low effective output capacitance 0.80-0.1max+ 0.11 Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152 Drain3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top