NDT90N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDT90N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDT90N03
NDT90N03 Datasheet (PDF)
ndt90n03.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT90N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V4 ID = 85 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 8m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability Lead free product is acquired+ 0.12.3 0.60- 0.
ndt90n04.pdf
SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Trench Power MOSFETNDT90N04TO-252Unit: mm Features VDS = 40V; ID = 120A+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3.5m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3Source Absolute Maximum Ratings Ta
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