Справочник MOSFET. NDT90N03

 

NDT90N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDT90N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.5 nC
   Время нарастания (tr): 4.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 500 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для NDT90N03

 

 

NDT90N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1904K  kexin
ndt90n03.pdf

NDT90N03
NDT90N03

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT90N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V4 ID = 85 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 8m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability Lead free product is acquired+ 0.12.3 0.60- 0.

 7.1. Size:202K  kexin
ndt90n04.pdf

NDT90N03
NDT90N03

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Trench Power MOSFETNDT90N04TO-252Unit: mm Features VDS = 40V; ID = 120A+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3.5m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3Source Absolute Maximum Ratings Ta

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top