Справочник MOSFET. NDT90N03

 

NDT90N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT90N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NDT90N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT90N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1904K  kexin
 ndt90n03.pdf pdf_icon

NDT90N03

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT90N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V4 ID = 85 A (VGS = 10V) RDS(ON) 5m (VGS = 10V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 8m (VGS = 4.5V) High Power and current handing capability Lead free product is acquired+ 0.12.3 0.60- 0.

 7.1. Size:202K  kexin
 ndt90n04.pdf pdf_icon

NDT90N03

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Trench Power MOSFETNDT90N04TO-252Unit: mm Features VDS = 40V; ID = 120A+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 3.5m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3Source Absolute Maximum Ratings Ta

Другие MOSFET... NDT5N70P , NDT6N60 , NDT6N60P , NDT6N65P , NDT6N70 , NDT6N70P , NDT70N03 , NDT70N06 , IRF3710 , NDT90N04 , NFT1N60 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS .

History: AOTF9N70L | WMN15N65C2 | MTE65N20H8

 

 
Back to Top

 


 
.