NTD100N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD100N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: TO252
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NTD100N02 datasheet
ntd100n02.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET NTD100N02 (KTD100N02) TO-252 U t m ni m Features 6. 50+0. 15 - 0. 15 +0. 1 2. 30 - 0. 1 +0. 2 VDS (V) = 25V 5. 30- 0. 2 +0. 8 0. 50 - 0. 7 ID = 60 A (VGS = 20V) 4 RDS(ON) 9m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 6m (VGS = 10V) 0. 127 0. 80+0. 1 m - 0. 1 ax Drain 1 Gate + 0. 1 2 Drain 2. 3 0. 60- 0. 1
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