NTD100N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD100N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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NTD100N02 Datasheet (PDF)

..1. Size:1441K kexin
ntd100n02.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NTD100N02 (KTD100N02)TO-252U t : mni m Features6. 50+0. 15- 0. 15+0. 12. 30 - 0. 1+0. 2 VDS (V) = 25V 5. 30- 0. 2 +0. 80. 50 - 0. 7 ID = 60 A (VGS = 20V)4 RDS(ON) 9m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 6m (VGS = 10V)0. 1270. 80+0. 1 m- 0. 1axDrain1 Gate+ 0. 12 Drain2. 3 0. 60- 0. 1

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History: BRFL4N65S | BF1206F

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: