NTD100N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD100N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 62.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 38.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 480 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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NTD100N02 Datasheet (PDF)

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ntd100n02.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET NTD100N02 (KTD100N02)TO-252U t : mni m Features6. 50+0. 15- 0. 15+0. 12. 30 - 0. 1+0. 2 VDS (V) = 25V 5. 30- 0. 2 +0. 80. 50 - 0. 7 ID = 60 A (VGS = 20V)4 RDS(ON) 9m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 6m (VGS = 10V)0. 1270. 80+0. 1 m- 0. 1axDrain1 Gate+ 0. 12 Drain2. 3 0. 60- 0. 1

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Liste

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