SI2356DS Todos los transistores

 

SI2356DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2356DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI2356DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  vishay
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SI2356DS

Si2356DSVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested Material categorization:0.051 at VGS = 10 V 4.3For definitions of compliance please see0.054 at VGS = 4.5 V 40 4.1 3.8 nCwww.vishay.com/doc?999120.070 at VGS = 2.5 V 3.6APPLICATIONSTO-236

 ..2. Size:1750K  kexin
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SI2356DS

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2356DS (KI2356DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 40V ID = 4.3 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 51m (VGS = 10V) +0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1 RDS(ON) 54m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 70m (VGS = 2.5V)1. Gate2. Source3. DrainDGS Absolute Maximum Rati

 ..3. Size:884K  cn vbsemi
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SI2356DS

SI2356DSwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G

 0.1. Size:1761K  kexin
 si2356ds-3.pdf pdf_icon

SI2356DS

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2356DS (KI2356DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 40V ID = 4.3 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 51m (VGS = 10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 54m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 70m (VGS = 2.5V)1. Gate2. Source3. DrainDGS Absolute Maxim

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History: IPB60R190C6 | FCH20N60 | NCE65N260F | DMN6075S | PM561BA | VBZE50P03

 

 
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