SI7898DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7898DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.087 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7898DP

SI7898DP Datasheet (PDF)

..1. Size:467K vishay
si7898dp.pdf

Si7898DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.085 at VGS = 10 V 4.8 TrenchFET Power MOSFETs 1500.095 at VGS = 6.0 V for Fast Switching4.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM OptimizedPowerPAK SO-8

..2. Size:1747K kexin
si7898dp.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI7898DP (KI7898DP) SO-8 (DFN5X6)PowerPAK Features VDS (V) = 150VS6.15 mm 5.15 mm1S ID = 4.8 A (VGS = 10V)2SD3G RDS(ON) 87m (VGS = 10V)4D RDS(ON) 98m (VGS = 4.5V)8D7D6D5GBottom ViewS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10s Steady State Unit Drain-S

9.1. Size:87K vishay
si7894adp.pdf

Si7894ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.0036 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET30 58 Optimized for Low Side Synchronous 0.0045 at VGS = 4.5 V 23Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage w

9.2. Size:93K vishay
si7892ad.pdf

Si7892ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0042 at VGS = 10 V 2530 25 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0057 at VGS = 4.5 V 22Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg TestedAPPLICATION Sy

9.3. Size:460K vishay
si7892bdp.pdf

Si7892BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0042 at VGS = 10 V 25 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT30 270.0057 at VGS = 4.5 V 22Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8

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Liste

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