SI7898DP - описание и поиск аналогов

 

SI7898DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7898DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.087 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для SI7898DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7898DP даташит

 ..1. Size:467K  vishay
si7898dp.pdfpdf_icon

SI7898DP

Si7898DP Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.085 at VGS = 10 V 4.8 TrenchFET Power MOSFETs 150 0.095 at VGS = 6.0 V for Fast Switching 4.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized PowerPAK SO-8

 ..2. Size:1747K  kexin
si7898dp.pdfpdf_icon

SI7898DP

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI7898DP (KI7898DP) SO-8 (DFN5X6) PowerPAK Features VDS (V) = 150V S 6.15 mm 5.15 mm 1 S ID = 4.8 A (VGS = 10V) 2 S D 3 G RDS(ON) 87m (VGS = 10V) 4 D RDS(ON) 98m (VGS = 4.5V) 8 D 7 D 6 D 5 G Bottom View S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10s Steady State Unit Drain-S

 9.1. Size:87K  vishay
si7894adp.pdfpdf_icon

SI7898DP

Si7894ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.0036 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET 30 58 Optimized for Low Side Synchronous 0.0045 at VGS = 4.5 V 23 Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAK Package w

 9.2. Size:93K  vishay
si7892ad.pdfpdf_icon

SI7898DP

Si7892ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0042 at VGS = 10 V 25 30 25 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0057 at VGS = 4.5 V 22 Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg Tested APPLICATION Sy

Другие MOSFET... SI2324DS , SI2328DS , SI2356DS , SI2366DS , SI2372DS , SI4056DY , SI4490DY , SI4634DY , IRLB4132 , SI9410DY , SIR422DP , UTT6N10Z , APM2518NU , APM2558NU , SM1105NSV , SM1200NSAS , SM1202NSAS .

History: WMN15N65F2 | 2SK1444LS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.