Справочник MOSFET. SI7898DP

 

SI7898DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7898DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.087 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI7898DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7898DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  vishay
si7898dp.pdfpdf_icon

SI7898DP

Si7898DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.085 at VGS = 10 V 4.8 TrenchFET Power MOSFETs 1500.095 at VGS = 6.0 V for Fast Switching4.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM OptimizedPowerPAK SO-8

 ..2. Size:1747K  kexin
si7898dp.pdfpdf_icon

SI7898DP

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI7898DP (KI7898DP) SO-8 (DFN5X6)PowerPAK Features VDS (V) = 150VS6.15 mm 5.15 mm1S ID = 4.8 A (VGS = 10V)2SD3G RDS(ON) 87m (VGS = 10V)4D RDS(ON) 98m (VGS = 4.5V)8D7D6D5GBottom ViewS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10s Steady State Unit Drain-S

 9.1. Size:87K  vishay
si7894adp.pdfpdf_icon

SI7898DP

Si7894ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.0036 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET30 58 Optimized for Low Side Synchronous 0.0045 at VGS = 4.5 V 23Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage w

 9.2. Size:93K  vishay
si7892ad.pdfpdf_icon

SI7898DP

Si7892ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0042 at VGS = 10 V 2530 25 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0057 at VGS = 4.5 V 22Package with Low 1.07 mm Profile Low Gate Charge 100 % Rg TestedAPPLICATION Sy

Другие MOSFET... SI2324DS , SI2328DS , SI2356DS , SI2366DS , SI2372DS , SI4056DY , SI4490DY , SI4634DY , 5N60 , SI9410DY , SIR422DP , UTT6N10Z , APM2518NU , APM2558NU , SM1105NSV , SM1200NSAS , SM1202NSAS .

History: HY3410B | IPD60R280P7 | SSM6618M | IRLML6246TRPBF | 2SK1189 | PTA04N80 | TMU2N40

 

 
Back to Top

 


 
.