IRF721 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF721
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF721

IRF721 Datasheet (PDF)

..1. Size:476K st
irf720 irf721 irf722 irf723-fi.pdf

0.1. Size:547K international rectifier
irf7210pbf.pdf

PD - 97040IRF7210PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Lead-Free4 5G DRDS(on) = 0.007Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silic

0.2. Size:78K international rectifier
irf7210.pdf

PD- 91844AIRF7210HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 8S D P-Channel MOSFETVDSS = -12V2 7 Surface MountS D Available in Tape & Reel3 6S D4 5G DRDS(on) = 0.007Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. This benefi

0.3. Size:2086K cn vbsemi
irf7210tr.pdf

IRF7210TRwww.VBsemi.twP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0050 at VGS = - 4.5 V - 16 TrenchFET Power MOSFET0.0065 at VGS = - 2.5 V - 12 - 15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0100 at VGS = - 1.8 V - 13APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS

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