SM1200NSAS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM1200NSAS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM1200NSAS

SM1200NSAS Datasheet (PDF)

..1. Size:233K sino
sm1200nsas.pdf

SM1200NSAS N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 60V/0.2A , RDS(ON)=2.2 (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=2.6 (max.) @ VGS=4.5VG ESD Protection : HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100VTop View of SOT-723 Lead Free and Green Devices AvailableD Reliable and Rugged(RoHS Compliant)Applications G High Speed and Analog Switching Applications Low voltage drive (

9.1. Size:234K sino
sm1202nsas.pdf

SM1202NSAS N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/0.35A , RDS(ON)= 700m (max.) @ VGS=4.5VSRDS(ON)= 1000m (max.) @ VGS=2.5VGRDS(ON)= 1600m (max.) @ VGS=1.8VRDS(ON)= 5000m (max.) @ VGS=1.5VTop View of SOT-723 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) ESD ProtectionGApplications High Speed Switching.

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: