Справочник MOSFET. SM1200NSAS

 

SM1200NSAS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM1200NSAS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT723
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM1200NSAS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  sino
 sm1200nsas.pdf pdf_icon

SM1200NSAS

SM1200NSAS N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 60V/0.2A , RDS(ON)=2.2 (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=2.6 (max.) @ VGS=4.5VG ESD Protection : HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100VTop View of SOT-723 Lead Free and Green Devices AvailableD Reliable and Rugged(RoHS Compliant)Applications G High Speed and Analog Switching Applications Low voltage drive (

 9.1. Size:234K  sino
 sm1202nsas.pdf pdf_icon

SM1200NSAS

SM1202NSAS N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/0.35A , RDS(ON)= 700m (max.) @ VGS=4.5VSRDS(ON)= 1000m (max.) @ VGS=2.5VGRDS(ON)= 1600m (max.) @ VGS=1.8VRDS(ON)= 5000m (max.) @ VGS=1.5VTop View of SOT-723 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) ESD ProtectionGApplications High Speed Switching.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.