Справочник MOSFET. SM1200NSAS

 

SM1200NSAS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM1200NSAS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT723
 

 Аналог (замена) для SM1200NSAS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM1200NSAS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  sino
sm1200nsas.pdfpdf_icon

SM1200NSAS

SM1200NSAS N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 60V/0.2A , RDS(ON)=2.2 (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=2.6 (max.) @ VGS=4.5VG ESD Protection : HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100VTop View of SOT-723 Lead Free and Green Devices AvailableD Reliable and Rugged(RoHS Compliant)Applications G High Speed and Analog Switching Applications Low voltage drive (

 9.1. Size:234K  sino
sm1202nsas.pdfpdf_icon

SM1200NSAS

SM1202NSAS N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/0.35A , RDS(ON)= 700m (max.) @ VGS=4.5VSRDS(ON)= 1000m (max.) @ VGS=2.5VGRDS(ON)= 1600m (max.) @ VGS=1.8VRDS(ON)= 5000m (max.) @ VGS=1.5VTop View of SOT-723 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) ESD ProtectionGApplications High Speed Switching.

Другие MOSFET... SI4634DY , SI7898DP , SI9410DY , SIR422DP , UTT6N10Z , APM2518NU , APM2558NU , SM1105NSV , IRFB3607 , SM1202NSAS , SM1301NSSA , SM1402NSS , SM1691OSCS , SM1A00NSF , SM1A00NSG , SM1A00NSW , SM1A02NSF .

History: IRFPF20 | SMK0765F | HRLD72N06 | FR9024N | SVD540DTR | 4N90L-TF1-T | IRF9620PBF

 

 
Back to Top

 


 
.