SM1691OSCS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM1691OSCS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363

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SM1691OSCS Datasheet (PDF)

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sm1691oscs.pdf

SM1691OSCS Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETwith Schottky DiodeFeatures Pin Description Channel 1 (NMOS) 60V/0.26A,S2 RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10VNCD2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5V D1S1G1 Channel 2 (Schottky Diode) 40V/0.35A,Top View of SOT-363Vf= 0.4V(max.) @ IF=0.02A(6)D1(3)D2 Vf= 0.6V(max.) @ IF=0.2A Reliable and Rugged Lead Free and Green

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Liste

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