SM2054NSV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM2054NSV
   Código: 2054N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0235 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2054NSV

SM2054NSV Datasheet (PDF)

..1. Size:267K sino
sm2054nsv.pdf

SM2054NSVN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/7.5A, RDS(ON)= 23.5m (max.) @ VGS= 10VG RDS(ON)= 27m (max.) @ VGS= 4.5VDS RDS(ON)= 42m (max.) @ VGS= 2.5V Reliable and RuggedTop View SOT-223 ESD Protection Lead Free and Green Devices AvailableD (2) (RoHS Compliant)G (1)Applications Switching RegulatorsS (3) Switching ConvertersN-Ch

6.1. Size:249K sino
sm2054nsd.pdf

SM2054NSDN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/7.5A, RDS(ON)= 21m (max.) @ VGS= 10VSD RDS(ON)= 23m (max.) @ VGS= 4.5VG RDS(ON)= 36m (max.) @ VGS= 2.5V Reliable and RuggedTop View SOT-89 ESD Protection Lead Free and Green Devices AvailableD (2) (RoHS Compliant)G (1)Applications Switching RegulatorsS (3) Switching ConvertersN-Chann

6.2. Size:891K cn vbsemi
sm2054nsd.pdf

SM2054NSDwww.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 4.5 V 6.8RoHS30 10 nC COMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

9.1. Size:2702K 1
jsm2050.pdf

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The JSM2050 uses advanced trench technology to Gprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SGeneral Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 50A RDS(ON)

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: