SM2054NSV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM2054NSV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0235 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для SM2054NSV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2054NSV даташит

 ..1. Size:267K  sino
sm2054nsv.pdfpdf_icon

SM2054NSV

SM2054NSV N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/7.5A, RDS(ON)= 23.5m (max.) @ VGS= 10V G RDS(ON)= 27m (max.) @ VGS= 4.5V D S RDS(ON)= 42m (max.) @ VGS= 2.5V Reliable and Rugged Top View SOT-223 ESD Protection Lead Free and Green Devices Available D (2) (RoHS Compliant) G (1) Applications Switching Regulators S (3) Switching Converters N-Ch

 6.1. Size:249K  sino
sm2054nsd.pdfpdf_icon

SM2054NSV

SM2054NSD N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/7.5A, RDS(ON)= 21m (max.) @ VGS= 10V S D RDS(ON)= 23m (max.) @ VGS= 4.5V G RDS(ON)= 36m (max.) @ VGS= 2.5V Reliable and Rugged Top View SOT-89 ESD Protection Lead Free and Green Devices Available D (2) (RoHS Compliant) G (1) Applications Switching Regulators S (3) Switching Converters N-Chann

 6.2. Size:891K  cn vbsemi
sm2054nsd.pdfpdf_icon

SM2054NSV

SM2054NSD www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = 4.5 V 6.8 RoHS 30 10 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise

 9.1. Size:2702K  1
jsm2050.pdfpdf_icon

SM2054NSV

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The JSM2050 uses advanced trench technology to G provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S General Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 50A RDS(ON)

Другие IGBT... SM7A25NSU, SM7A25NSUB, SM2004NSD, SM2006NSK, SM2014NSKP, SM2014NSU, SM2030NSU, SM2054NSD, 2SK3568, SM2201NSQG, SM2202NSQE, SM2202NSQG, SM4831NAK, SM4832NSK, SM4834NSK, SM4836NSK, SM4838NSK