SM6130NSUB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM6130NSUB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6130NSUB

SM6130NSUB Datasheet (PDF)

..1. Size:153K sino
sm6130nsub.pdf

SM6130NSUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/44A, RDS(ON)= 15m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 17.5m (max.) @ VGS=4.5VS 100% UIS + Rg TestedDG ESD Protection Reliable and RuggedTop View of TO-251 Lead Free and Green Devices AvailableD (2) (RoHS Compliant)ApplicationsG (1) Secondary Side Synchronous Rectification DC-DC

6.1. Size:258K sino
sm6130nskp.pdf

SM6130NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 60V/36A,DDDRDS(ON)=14.5m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)=17m (max.) @ VGS=4.5VGPin 1S 100% UIS + Rg TestedSS ESD ProtectionDFN5x6A-8_EP Reliable and Rugged( 5,6,7,8 ) Lead Free and Green Devices AvailableD D D D(RoHS Compliant)Applications(4)G Secondary Side Synchronous Rectifi

6.2. Size:235K sino
sm6130nsk.pdf

SM6130NSK N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 60V/7.7A,DD RDS(ON)= 15m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 17.5m (max.) @ VGS=4.5VSS 100% UIS + Rg TestedSG ESD ProtectionTop View of SOP-8 Reliable and Rugged( 5,6,7,8 ) Lead Free and Green Devices AvailableD D D D(RoHS Compliant)Applications(4)G Secondary Side Synchronous Rectif

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