SM6130NSUB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6130NSUB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO251

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SM6130NSUB datasheet

 ..1. Size:153K  sino
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SM6130NSUB

SM6130NSUB N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/44A, RDS(ON)= 15m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 17.5m (max.) @ VGS=4.5V S 100% UIS + Rg Tested D G ESD Protection Reliable and Rugged Top View of TO-251 Lead Free and Green Devices Available D (2) (RoHS Compliant) Applications G (1) Secondary Side Synchronous Rectification DC-DC

 6.1. Size:258K  sino
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SM6130NSUB

SM6130NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 60V/36A, D D D RDS(ON)=14.5m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)=17m (max.) @ VGS=4.5V G Pin 1 S 100% UIS + Rg Tested S S ESD Protection DFN5x6A-8_EP Reliable and Rugged ( 5,6,7,8 ) Lead Free and Green Devices Available D D D D (RoHS Compliant) Applications (4) G Secondary Side Synchronous Rectifi

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SM6130NSUB

SM6130NSK N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D 60V/7.7A, D D RDS(ON)= 15m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 17.5m (max.) @ VGS=4.5V S S 100% UIS + Rg Tested S G ESD Protection Top View of SOP-8 Reliable and Rugged ( 5,6,7,8 ) Lead Free and Green Devices Available D D D D (RoHS Compliant) Applications (4) G Secondary Side Synchronous Rectif

Otros transistores... SM4839NSK, SM4842NSK, SM4843NSK, SM4844NHK, SM4850NSK, SM6002NAF, SM6009NSF, SM6012NSK, IRFB31N20D, SM6A10NSU, SM6A17NSFP, SM6A22NSF, SM6A22NSFP, SM6A22NSU, SM6A22NSUB, SM6A23NSF, SM6A23NSFP