SM3106NSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM3106NSF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 41.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM3106NSF
SM3106NSF Datasheet (PDF)
sm3106nsf.pdf
SM3106NSFN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/112A,RDS(ON)= 6m (max.) @ VGS=10VRDS(ON)= 8.3m (max.) @ VGS=4.5VSD Reliable and RuggedGTop View of TO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)D 100% UIS TestedApplicationsG Optimized for UPS/Inverter Application. Power Tool Battery Pack Application.SN-Chan
sm3106nsu.pdf
SM3106NSUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/83A,DRDS(ON)= 4.8m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 7.5m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and RuggedTop View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)D 100% UIS TestedApplicationsG Power Management in Desktop Computer orDC/DC Converters. UPS/Inverter Application.SN-Ch
hsm3107.pdf
HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P-V -30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typconverter applications. I -5 A DThe HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
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Liste
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