SM3106NSU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM3106NSU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Encapsulados: TO252
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SM3106NSU datasheet
sm3106nsu.pdf
SM3106NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/83A, D RDS(ON)= 4.8m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)= 7.5m (max.) @ VGS=4.5V G Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D 100% UIS Tested Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. UPS/Inverter Application. S N-Ch
sm3106nsf.pdf
SM3106NSF N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/112A, RDS(ON)= 6m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 8.3m (max.) @ VGS=4.5V S D Reliable and Rugged G Top View of TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D 100% UIS Tested Applications G Optimized for UPS/Inverter Application. Power Tool Battery Pack Application. S N-Chan
hsm3107.pdf
HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P- V -30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typ converter applications. I -5 A D The HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
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