SM3106NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM3106NSU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM3106NSU

SM3106NSU Datasheet (PDF)

..1. Size:267K sino
sm3106nsu.pdf

SM3106NSUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/83A,DRDS(ON)= 4.8m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 7.5m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and RuggedTop View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)D 100% UIS TestedApplicationsG Power Management in Desktop Computer orDC/DC Converters. UPS/Inverter Application.SN-Ch

6.1. Size:166K sino
sm3106nsf.pdf

SM3106NSFN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/112A,RDS(ON)= 6m (max.) @ VGS=10VRDS(ON)= 8.3m (max.) @ VGS=4.5VSD Reliable and RuggedGTop View of TO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)D 100% UIS TestedApplicationsG Optimized for UPS/Inverter Application. Power Tool Battery Pack Application.SN-Chan

9.1. Size:444K huashuo
hsm3107.pdf

HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P-V -30 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typconverter applications. I -5 A DThe HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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Liste

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