SM2290NSQG Todos los transistores

 

SM2290NSQG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2290NSQG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: DFN2X2A-6

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SM2290NSQG datasheet

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SM2290NSQG

SM2290NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D 150V/1.6A, D D RDS(ON) = 360m (max.) @ VGS =10V G S ESD Protection Pin 1 D D 100% UIS Tested DFN2x2A-6_EP Reliable and Rugged (1,2,5,6) Lead Free and Green Devices Available DDDD (RoHS Compliant) Applications (3)G For POE Power Primary Side Switch for (4)S Low. Power DC/DC Converters.

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History: AO3413A | MCH5908 | 2SK1671

 

 

 


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